三 26th, 2010  |  (3+)万州光电，红外发射管，L8IR850-45

一、??? 描述；Description

?L8IR850B-45系列发射管是采用GaAlAs技术的高功率红外发射二极管，采用透明的塑料封装。

在一个相似的波长内与标准GaAs比较，使用GaAlAs技术的这些发射二极管达到超过100%辐射功率改善。正向电压在低电流和高脉冲电流工作条件下大致对应于标准技术。

所以这些发射二极管是理想的作为标准发射器件的高性能产品。

L8IR850B-45 is a high efficiency infrared emitting diode in GaAlAs technology, molded in clear. Blue grey tinted plastic packages In comparison with the standard GaAs on GaAlAs technology these emitters achieve more than 100 % radiant power improvement at a similar wavelength. The forward voltages at low current and at high pulse current roughly correspond to the low values of the standard technology.

Therefore these emitters are ideally suitable as high performance replacements of standard emitters.

二、???? 基本参数；Principal character

三、???? 极限参数；Absolute Maximum Ratings at Ta=25℃

四、???? 光电特性；Electrical Optical Characteristics at Ta= 25℃

五、???? 尺寸

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本文标签：L8IR850-45, 万州, 发射管, 红外技术, 红外接收头
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